优秀研究生学位论文题录展示

700V VDMOS设计

专 业: 微电子学与固体电子学
关键词: VDMOS 击穿电压 导通电阻 版图 功率半导体器件
分类号: TN302  TN35
形 态: 共 57 页 约 37,335 个字 约 1.786 M内容
阅 读: 全文阅读说明

内容摘要


VDMOS是微电子技术和电力电子技术融和起来的新一代功率半导体器件。

因其具有开关速度快、输入阻抗高、负温度系数等一系列优点,在电力电子领域得到了广泛的应用。

目前,我国在VDMOS设计领域处于起步阶段,基础还很薄弱。

本文设计了一款700V VDMOS芯片。

在VDMOS的设计过程,其实质就是解决器件耐压和导通电阻之间矛盾的过程。

在给定的耐压条件下,导通电阻最优值的探索就成为VDMOS设计的关键所在。

本文正是基于此种考虑,从理论到实际给出了一种适用于高压VDMOS的方便而有效的设计方法。

首先通过理论计算确定VDMOS的主要结构参数,然后通过Tsuprem-4软件模拟器件的工艺流程,用Medici软件模拟器件的电特性,通过对器件的耐压、阈值电压与导通电阻的模拟来优化计算得到的各个结构参数,从而得到设计的最优值。

接下来,面向具体的工艺线,设计了该器件的工艺流程和版图结构,并在工艺生产线上流片。

最后对流片得到的VDMOS特性进行测试,并对器件的失效原因进行分析。

700V VDMOS流片测试结果证明设计的各项指标均达到或超过器件指标的要求。

这说明我们的导通电阻模型,器件设计流程,器件的结构和版图及工艺参数的给定都是可行的,其研究结果可以作为实验和生产的依据。

但是本文设计流片的VDMOS良率仍有待进一步提高。

此外本文使用的VDMOS设计方法,可以运用到同类功率器件的设计中去..……

全文目录


文摘
英文文摘
第一章 绪论
1.1功率器件发展概述
1.2功率器件的应用
1.3本文的主要工作
第二章 VDMOS的理论模型
2.1 VDMOS的工作原理
2.2 VDMOS的主要指标参数
2.3 MOS的特征导通电阻的模型
2.4 VDMOS击穿电压
2.5器件的终端结构
2.6 VDMOS的栅电荷与电容
2.7本章小结
第三章 700V VDMOS结构的设计和模拟
3.1 EPI厚度和电阻率的设计和模拟
3.2 GATE OXIDE厚度的设计和模拟
3.3 PBODY的设计和模拟
3.4 NSD的设计和模拟
3.5单胞尺寸的设计和模拟
3.6器件终端结构的设计和模拟
3.7 VDMOS的栅电荷与电容的设计与模拟
3.8器件结构和特性参数
3.9本章小结
第四章 700V VDMOS后端设计
4.1 VDMOS版图设计
4.2 700V VDMOS工艺的主要模块
4.3工艺生产中遇到的问题与改进
4.4本章小结
第五章 700V VDMOS测试
5.1 VDMOS的测试
5.2 VDMOS的失效分析
5.3本章小结
总结与展望
参考文献

相似论文

  1. 20V/10A UDMOSFET的设计与研制,51页,TN302
  2. 电场作用下少子复合率新模型及相关器件的研究,65页,TN302 TP391.9
  3. 先进技术微通道板连续打拿极的研究,65页,TN304.21 TN304.055
  4. 微球板光电倍增管技术的研究,60页,TN304.21 TN304.055
  5. 定向碳纳米管阵列膜的制备及其电性能研究,85页,TN304.21 TN304.055
  6. 氧化钽高K薄膜的制备、结构和光、电性能的研究,98页,TN304.21 TN304.055
  7. 功率裸芯片的测试与老化筛选技术,85页,TN304.21 TN304.055
  8. 锡和锡钛嵌锂薄膜材料的直流溅射制备及电化学性能研究,104页,TN304.21 TN304.055
  9. 低温烧结ZnO压敏电阻材料的研究,69页,TN304.9
  10. BaTiO〈,3〉半导瓷注凝成型技术的研究,58页,TN305
  11. CMOS电感电容压控振荡器设计,71页,TN304.21 TN304.055
  12. 多晶铁纤维的制备及其表面改性,71页,TN304
  13. 碳化硅外延材料生长及表征技术研究,51页,TN304.24
  14. 高性能PZT系热释电陶瓷材料研究,77页,TN304.82
  15. PTCR磁控溅射电极及性能研究,64页,TN304.82 TN305.92
  16. 氮化镓的激光分离技术及稀释磁性半导体的研究,42页,TN304
  17. 纳米硅和氧化锌纳米结构的制备及应用研究,77页,TN304.055
  18. 基于聚合物分散液晶的可变光衰减器的材料制备及器件实现,67页,TN304.21 TN304.055
  19. 小型无人直升飞机飞行控制电路的设计,88页,TN304.21 TN304.055
  20. 复数带通ΔΣ调制器的设计与仿真,82页,TN304.21 TN304.055
中图分类: > TN302 > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 设计与计算
其他分类: > TN35 > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 半导体整流器

© 2012 book.hzu.edu.cn