优秀研究生学位论文题录展示

基于TCAD的VDMOS功率器件仿真研究

专 业: 微电子学与固体电子学
关键词: 电火花加工 三相流介质 混粉准干式 加工介质 三相流混合物 微细粉末 神经网络 群遗传算法
分类号: TN4  TN3
形 态: 共 58 页 约 37,990 个字 约 1.817 M内容
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内容摘要


功率VDMOS是功率电力电子的主流产品之一。

它具有高输入阻抗、高开关速度、很好的热稳定性以及宽安全工作区等特点,广泛地应用于马达驱动、开关电源、汽车电子、节能灯等各种领域。

根据本课题组研究工作可知,VDMOS功率器件的研制在我国目前还属于起步阶段,对于高压VDMOS的研究还不够成熟。

因此本课题旨在设计VDMOS功率器件模型并对其进行仿真研究。

通过计算和仿真分析找出高压VDMOS器件结构最佳化的设计,器件达到漏源击穿电压650V的基本要求。

本文介绍了VDMOS功率器件的基本结构和工作原理及VDMOS的静态和动态两部分的特性参数。

静态特性中关键的就是击穿电压和导通电阻的权衡问题,而动态特性主要是对寄生电容和开关特性进行分析。

器件设计方面,从结构及参数出发进行设计计算,并分析了元胞基本结构,在满足预计设计的击穿电压基础上,设计了器件各部分的掺杂浓度,根据VDMOS的基本设计参数,做出网格分布图及半胞结构图,利用MEDICI软件对器件的静态特性和动态特性进行了仿真,并对仿真结果进行了分析。

在静态特性中,主要对击穿电压,Ⅰ-Ⅴ输出特性、转移特性进行了仿真分析。

随着温度的增加,阈值电压减少。

在动态特性方面,主要对电容特性和开关特性进行仿真分析,得出比较满意的结果,达到设计要求。

关键词:

VDMOS功率器件;击穿电压;导通电阻;MEDICI

全文目录


中文摘要
第1章 绪论
1.1 课题研究的目的与意义
1.2 VDMOS功率器件的国内外研究状况及分析
1.3 本课题的主要研究内容
第2章 VDMOS功率器件的基本原理
2.1 VDMOS功率器件的特点及应用
2.1.1 器件的特点
2.1.2 器件的应用
2.2 VDMOS器件的基本特性
2.2.1 器件的技术特点
2.2.2 器件的静态特性
2.2.3 器件的动态特性
2.3 VDMOS功率器件的基本原理
2.3.1 VDMOS器件的基本结构
2.3.2 VDMOS器件的工作原理
2.4 本章小结
第3章 VDMOS器件的设计及仿真软件简介
3.1 器件的设计
3.1.1 器件结构的设计
3.1.2 器件参数的设计
3.2 MEDICI使用的简介
3.3 器件的基本结构仿真
3.4 本章小结
第4章 VDMOS器件的静态特性仿真与分析
4.1 器件的击穿电压
4.2 导通电阻及输出特性
4.3 器件的转移特性分析
4.4 本章小结
第5章 VDMOS器件瞬态特性的仿真及分析
5.1 动态特性仿真
5.1.1 寄生电容的特性仿真
5.1.2 瞬态特性分析
5.2 温度对器件的影响
5.3 本章小结
结论
参考文献
附录

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中图分类: > TN4 > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 微电子学、集成电路(ic)
其他分类: > TN3 > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术

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