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电场作用下少子复合率新模型及相关器件的研究

专 业: 微电子学与固体电子学
关键词: 器件模型 产生复合率 Poole-Frenkel效应
分类号: TN302  TP391.9
形 态: 共 65 页 约 42,575 个字 约 2.037 M内容
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内容摘要


随着半导体研究水平和生产技术的迅速发展,为了提高集成度和电路的性能,晶体管的尺寸正在迅速减小。

横向器件尺寸缩小,浅结构造和自对准工艺等双极性和MOS新工艺,都导致了在半导体器件pn结附近的电场急剧增加,因此对该类现象的深入研究和正确描述是非常必要和重要的。

同时为了能够更好地进行器件模拟研究,对模拟模型的修正也是非常迫切和关键的。

目前的研究基本上基于电子空穴产生复合机制上,结合能带之间隧穿效应,陷阱辅助隧穿效应,SRH复合和雪崩击穿效应,对载流子产生载复合率模型进行修正。

本文新引入Poole-Frenkel效应,将电场和电子势阱之间的关系进行了联系。

由此对少子产生复合率模型进行理论修正。

修正后的新模型能够运用于器件模拟软件中。

在不同的温度条件下,运用新模型进行了二极管器件的基本特性模拟,模拟结果能够很好地满足理论预见,基本达到研究的目的,同时对半导体器件模拟研究做出了推动..……

全文目录


第一章 文献综述
1.1 研究意义
1.2 器件模拟及器件模型的重要性
1.3 Poole-Frenkel效应
1.4 少子复合率模型研究现状
第二章 器件模拟原理及常用软件
2.1 器件模拟原理
2.2 常用器件模拟软件
2.3 Medici介绍
第三章 硅基半导体器件少子复合率新模型
3.1 理论推导
3.2 模型修正及简化
附录
第四章 新模型下硅基半导体器件特性的模拟
4.1 器件特性模拟方法
4.2 模拟结果与讨论
第六章 结束语
参考文献

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中图分类: > TN302 > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 设计与计算
其他分类: > TP391.9 > 工业技术 > 自动化技术、计算机技术 > 计算技术、计算机技术 > 计算机的应用 > 信息处理(信息加工)

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