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半导体器件计算机模拟新方法研究

专 业: 控制理论与控制工程
关键词: Adomian s composition theory SOI MOSFET
分类号: TN302  TP391.9
形 态: 共 60 页 约 39,300 个字 约 1.88 M内容
阅 读: 全文阅读说明

内容摘要


随着集成电路的飞速发展,对半导体器件的计算机模拟变得越来越重要。

传统的计算机模拟主要是采用数值算法。

本文提出了一种半导体器件模拟的新方法,这种新方法将Adomian的变量分解思想用于强耦合、强非线性的半导体器件基本方程组的求解中。

本文对这种方法的基本思想和实现方法进行了详细地描述,并将其运用于稳态二极管器件的模拟和研究SOI MOSFET的静态特性中,求解了器件中电势、载流子等参数的分布情况,导出了二极管的Ⅰ-Ⅴ特性,MOSFET的阈值电压、输出特性、转移特性等重要特性表达式。

将获得的结果与数值计算结果进行了比较,两者基本相符,表明方法是可行的。

而与数值方法相比,该方法具有概念清晰、使用方便、收敛速度快捷等优点..……

全文目录


第1章 引言
1.1 半导体器件模拟的现状及存在的问题
1.2 半导体器件模拟的意义
1.3 本文的主要工作
第2章 理论基础
2.1 半导体器件基本方程
2.2 边界条件
2.3 Adomian理论
2.4 Adomian多项式的求解
第3章 分解理论在二极管模拟中的应用
3.1 PN结二极管载流子分布的计算机模拟
3.1.1 用分解理论对二极管进行模拟
3.1.2 产生率与复合率
3.1.3 边界条件
3.1.4 载流子浓度分布
3.2 二极管的伏安特性
第4章 分解理论在SOI MOSFET静态特性研究中的应用
4.1 SOI MOSFET概论
4.2 SOI MOSFET静态特性分析
4.2.1 模型的建立
4.2.2 模型分析
4.2.3 阈值电压
4.2.4 输出特性
4.2.5 转移特性
第5章 结论
参考文献

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中图分类: > TN302 > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 设计与计算
其他分类: > TP391.9 > 工业技术 > 自动化技术、计算机技术 > 计算技术、计算机技术 > 计算机的应用 > 信息处理(信息加工)

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