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分数维空间方法在半导体带间跃迁光谱分析中的应用

专 业: 凝聚态物理
关键词: 临界点跃迁 介电谱 分数维空间方法 标准线形分析法 椭偏技术
分类号: TN301
形 态: 共 105 页 约 68,775 个字 约 3.29 M内容
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内容摘要


该论文发展了分数维空间方法,并把它用于半导体带间跃迁光谱的分析上。

具体地,我们运用分数维空间方法研究了1硅的临界点跃迁随温度变化规律;2表面氧化层对从光谱中分析临界点跃迁的影响;3体硅锗合金材料的临界点跃迁随合金成分变化规律。

我们的工作表明,与传统分析方法相比,分数维空间方法具有以下优点:1,由于引入了维度可以是分数的概念,可以得心应手地处理维度连续变化渡越的情形,适用于无论是整数还是中间维度的情形;2分数维空间方法是一种直接而不需拟合程序的方法,避免了拟合方法所带来的各种问题;3因为分数维空间方法可直接从光谱计算参数,所以它有着和光谱相当的灵敏度,能反映微扰对能带结构的影响……

全文目录


文摘
英文文摘
第1章 绪论
1.1研究背景与问题的提出
第2章 临界点跃迁及传统分析方法
2.1固体光谱
2.2临界点跃迁的传统分析方法
第3章 分数维空间方法
3.1分数维空间的理论基础
3.2分数维空间模型
3.3半导体临界点跃迁-分数维空间方法
3.4讨论
第4章 硅的临界点跃迁随温度变化规律的研究
4.1引言
4.2样品及测量
4.3结果和讨论
4.4小结
第5章 表面氧化层对从光谱中分析临界点跃迁的影响
5.1引言
5.2理论计算、结果及讨论
5.3小结
第6章 体硅锗合金材料的临界点跃迁随合金成分变化规律的研究
6.1引言
6.2样品及测量
6.3结果与讨论
6.4硅锗合金的表面氧化层
6.5利用参数定成份
6.6小结
第7章 硅锗合金的椭偏研究
7.1引言
7.2椭偏技术理论
7.3椭偏光谱的测量及分析
7.4椭偏方法对硅锗合金多层膜结构的研究
7.5小结
第8章 总结
参考文献

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中图分类: > TN301 > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 基础理论

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