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InAs/GaAs低维结构载流子驰豫与俘获的研究

专 业: 凝聚态物理
关键词: 半导体低维结构 InAs/GaAs低维结构 载流子驰豫过程 载流子俘获时间
分类号: TN301
形 态: 共 58 页 约 37,990 个字 约 1.817 M内容
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内容摘要


由于半导体低维结构具有独特的光电特性,在光电子器件领域中具有广阔的应用前景,因此对半导体低维结构的研究引起了人们的广泛关注。

InAs与GaAs的晶格失配度为70﹪,InAs/GaAs是一种应变材料。

InAs/GaAs低维结构中载流子驰豫过程是相应光电器件光电响应特性设计时依赖的基础。

目前国际上对此已经进行了一些研究,所采用的实验方法各不一样,实验结果也比较分散。

我们搭建了一套Pump-probe反射谱测量系统,并用于InAs/GaAs低维结构样品瞬态反射率的研究。

我们研究了InAs/GaAs低维结构中载流子俘获时间与能量、激发功率和温度等试验条件的关系。

载流子俘获时间随能量的增加而减小;随激发功率增加而减小,载流子的俘获过程是一种C-C散射作用。

结构参数对低维结构的影响至关重要。

我们首次研究了InAs/GaAs低维结构中载流子俘获时间与样品结构的关系。

我们还研究了LT-GaAs材料中的载流子驰豫和俘获过程,以及LT-GaAs/Al<,x>Ga<,1-x>As光折变材料的载流子驰豫和俘获特性,并得到了一些有意义的结果……

全文目录


文摘
英文文摘
第一章 绪论
1-1半导体载流子驰豫过程的描述
1-2半导体低维结构电子能态及载流子驰豫
1-3 InAs/GaAs材料的生长、光电特性及载流子驰豫研究
参考文献
第二章 实验技术
2-1光荧光技术
2-2泵浦-探测Pump-probe技术
2-3泵浦-探测技术中激光脉冲宽度的测量
参考文献
第三章 InAs/GaAs低维结构载流子驰豫的研究
3-1样品制备与结构
3-2 InAs/GaAs样品的△R/R的第二个上升过程
3-3对InAs/GaAs样品△R/R中第二个上升过程的几种解释
3-4新的物理模型
3-5俘获时间τr与载流子浓度的关系:Auger散射俘获机制
3-6俘获时τr与温度及能量的关系
3-7载流子俘获时间τr与样品结构的关系
3-8小结
参考文献
第四章 低温GaAs材料载流子驰豫过程的研究
4-1LT-GaAs材料介绍
4-2LT-GaAs的载流子驰豫和俘获
4-3 350-430℃MBE生长GaAs材料的载流子驰豫特性
4-4LT-GaAs/AlxGa1-xAs量子阱材料光电特性研究
4-5小结
参考文献
结束语

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中图分类: > TN301 > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 基础理论

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