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HT-7超导托卡马克ICRF硼化及硅化实验研究

专 业: 等离子体物理
关键词: 硼化 硅化 杂质 HT-7超导托卡马克 薄膜涂覆技术
分类号: O571
形 态: 共 58 页 约 37,990 个字 约 1.817 M内容
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内容摘要


该文重点讨论了ICRF硼化及硅化技术在HT-7U超导托卡马克上的应用与发展。

分析了ICRF硼化和硅化手段的原理、方法及其对托卡马克放电的作用;对比了在不同实验条件下所 成薄膜的特性,以期更好的优化薄膜涂覆技术……

全文目录


文摘
英文文摘
第一章 前言
1.1引言
1.2等离子体与核聚变
1.3论文内容简介
第二章 托卡马克第一壁处理技术概述
2.1杂质的来源
2.2杂质的产生
2.3杂质的作用
2.4粒子的再循环
2.5杂质的控制
第三章 HT-7超导托卡马克ICRF硼化实验
3.1概述
3.2 HT-7超导托卡马克ICRF硼化实验
3.3 HT-7 ICRF硼化膜分析
3.4硼化的质谱分析
3.5硼化的作用
3.6 HT-7上以奎硼烷B10H14为材料的硼化实验
3.7小结
第四章 HT-7超导托卡马克ICRF硅化实验
4.1引言
4.2 ICRF硅化膜分析
4.3硅化的作用
4.3小结
第五章 HT-7U第一壁材料的基本特性初步分析
第六章 结论与展望
参考文献:

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中图分类: > O571 > 数理科学和化学 > 原子核物理学、高能物理学 > 原子核物理学

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