优秀研究生学位论文题录展示

基于Γ-X混合的异质结构光存储器件探索

专 业: 凝聚态物理
关键词: GaAs量子阱 K空间 光存储单元 Γ-X混合
分类号: TN301
形 态: 共 50 页 约 32,750 个字 约 1.567 M内容
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内容摘要


利用GaAs量子阱中Γ谷束缚态与AlAs层中X谷束缚态在异质结界面处的共振Γ-X混合,使得光生电子不仅在实空间而且在K空间与光生空穴分离开来,从而在结构中形成了持久的电荷极化。

这一效应已被C-V特性上所观察到的电容阶跃和正反方向扫描时所出现的双稳滞迟现象所证实。

如果将我们的器件用作光存储单元,预期可以获得很长的存储时间T<,so>同时,由于Γ-X混合隧穿速率很快,光子读出仍可以保持很快……

全文目录


文摘
英文文摘
前言
第一章 半导体光存储研究现状和发展趋势
1.1现有的半导体光存储器模型
1.2半导体光存储发展趋势
1.3异质结界面处Г-X混合的物理机制
第二章 实验设备操作规程和样品制备工艺
2.1实验设备操作规程
2.2样品制备工艺
第三章 利用Г-X混合在AlAs/GaAs异质结构中实现光生电子、空穴对的持久存储
3.1样品结构设计和理论计算
3.2实验结果和讨论
参考文献
附录:计算量子阱中能级的有效质量近似下的平面波展开方法和计算程序

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中图分类: > TN301 > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 基础理论

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