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宽带隙半导体材料光学性质研究

专 业: 凝聚态物理
关键词: 宽带隙半导体 光学性质 SrSe薄膜 InN薄膜 AlN薄膜
分类号: TN301.1
形 态: 共 79 页 约 51,745 个字 约 2.475 M内容
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内容摘要


该文首先介绍了宽带隙半导体中基本光学过程,着重分析了能带带间包括能带带尾之间的跃迁,还介绍了其晶格振动和拉曼散射特性,同时简介了研究样品的测量仪器真空紫外光谱仪和傅立叶变换光谱仪。

然后,给出了实验中理论模型的具体推导过程,包括三层或四层薄膜透射和反射模型、晶格振动区域以及带隙附近折射率模型。

最后,重点介绍了所研究的三种两元宽带隙半导体材料SrSe薄膜、InN薄膜和AlN薄膜的光学性质,研究薄膜的光学性质都是从测量其各种类型的光谱开始的……

全文目录


文摘
英文文摘
第一章 序论
第二章 宽带隙半导体基本光学过程及测量仪器
2.1半导体带间光跃迁过程
2.1.1导带底和价带顶位于波矢空间同一位置时的允许带间直接跃迁
2.1.2禁戒的带间直接跃迁
2.1.3导带底和价带顶位于波矢空间不同位置时的带间直接跃迁
2.1.4间接能带间的跃迁-带间间接跃迁
2.1.5直接能带情况下的带间间接跃迁
2.1.6能带带尾之间的跃迁
2.2与晶格振动及拉曼散射有关的光学过程
2.2.1极性半导体光学声子晶格振动反射谱
2.2.2半导体中的拉曼散射
2.3真空紫外光谱仪和傅立叶变换光谱仪简介
2.3.1真空紫外光谱仪
2.3.2傅立叶变换光谱仪
参考文献
第三章 相关理论计算模型
3.1薄膜样品透射比和反射比的表达式
3.1.1光电磁波入射到固体表面的反射和透射
3.1.2三层结构模型中薄膜样品反射比
3.1.3四层结构模型中薄膜样品透射比和反射比
3.2研究半导体折射率的理论模型
3.2.1晶格振动区域折射率的理论表示法
3.2.2带隙附近折射率的理论表示法
3.3带隙附近吸收系数理论表示法
参考文献
第四章 SrSe薄膜光学性质研究
4.1SrSe薄膜应用及研究简况
4.2SrSe生长情况及实验测量条件
4.3SrSe研究结果与分析
4.3.1XRD实验结果
4.3.2随温度变化的非直接带隙
4.3.3远红外反射测量结果
4.3.4拉曼散射测量结果
4.4SrSe薄膜样品研究结果总述
参考文献
第五章 InN薄膜光学性质研究
5.1InN薄膜应用及研究进展
5.2InN薄膜生长情况和实验条件
5.3InN薄膜样品实验结果与分析
5.3.1变温吸收系数和带隙
5.3.2乌尔巴赫带尾参数的讨论
5.3.3变温折射率及消光系数结果分析
5.3.4自由载流子浓度、远红外反射及拉曼散射
5.4InN薄膜样品研究结果总述
参考文献
第六章 AlN薄膜光学性质研究
6.1AlN薄膜生长情况及研究进展
6.2AlN样品的基本信息
6.3AlN薄膜实验结果分析和讨论
6.3.1变温吸收系数和带隙
6.3.2乌尔巴赫带尾参数的讨论
6.3.3变温折射率结果分析
6.4AlN薄膜样品研究结果总述
参考文献
第七章 结论

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中图分类: > TN301.1 > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 基础理论

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