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半导体工艺和器件模拟在VLSI中的应用

专 业: 材料物理与化学
关键词: 工艺模拟 器件模拟 SVX工艺技术 拐角击穿 场板 阈值电压
分类号: TN303
形 态: 共 53 页 约 34,715 个字 约 1.661 M内容
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内容摘要


该文的工作主要围绕以下两个方面进行。

1模拟和验证了一种低成本的,以标准CMOS工艺为基础,无需对原工艺流程进行改动的高压工艺技术。

讨论了低压器件中的各种击穿机理,相应提出了高压器件中所做出的改进,列举了该工艺技术中所用到的特殊版图;对此工艺的应用性进行了二维的工艺和器件模拟;将模拟结果与实际测试结果进行了比较,验证了这种高压工艺技术的实用性。

2为了给出双层多晶硅浮栅薄氧化层FLOTOXEEPROM存储管的工艺参数评价,在研究EEPROM电学模型的基础上,模拟分析了阈值电压变化与写入时间、写入电压、隧道孔面积、浮栅面积的关系。

根据模拟结果,采用0。

6μm CMOS工艺,对双层多晶硅FLOTOX EEPROM进行了流片,PCM的测试结果验证了模拟结果在实际工艺中的可行性。

因此,模拟得出的工艺参数评价为制造高性能的存储单元打下了坚实的基础。

根据上海先进半导体制造有限公司的生产实际要求,通过工艺模拟和器件模拟手段对高压CMOS管和EEPROM存储管作深入研究,实现了对新器件的开发和设计的事前评估……

全文目录


摘要
第一章 前言
参考文献:
第二章 高压CMOS管工艺的设计、模拟和验证
2.1研究背景
2.1.1高压MOS管的结构
2.1.2 LDMOS的集成工艺
2.2器件的击穿机理
2.2.1雪崩击穿
2.2.2漏源穿通电压VpT
2.2.3栅氧的击穿
2.2.4以上几种击穿电压值的比较分析
2.3 SVX技术对耐压性的优化
2.3.1 N-型轻掺杂漏区
2.3.2场板
2.4 SVX工艺技术
2.4.1轻掺杂漏区
2.4.2场氧LOCOS的生长
2.5模拟结果和讨论
2.5.1掺杂浓度和器件结构的模拟
2.5.2沟道电流Ids和漏源电压Vds的关系模拟
2.5.3等压线图和场强分布图
2.6实际流片结果
2.7第二章小结
参考文献:
第三章 双层多晶硅FLOTOX EEPROM特性的模拟和验证
3.1研究背景
3.1.1非挥发性半导体存储器NVSM
3.1.2 EEPROM
3.1.3研究动机
3.2基本概念
3.2.1 Fowler-Nordheim隧道效应
3.2.2 FLOTOX EEPROM的工作原理
3.3 FLOTOX EEPROM的等效电学模型
3.3.1 F-N(Fowler-Nordheim)隧道效应电学方程
3.3.2 FLOTOX EEPROM电学模型
3.4 FLOTOX EEPROM的工作状态和工艺参数模拟
3.4.1工作状态模拟分析
3.4.2工艺参数的模拟分析
3.5 FLOTOX EEPROM的PCM测试结果
3.6第三章小结
参考文献:
附录1
附录2

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中图分类: > TN303 > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 结构、器件

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