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SOI MOSFET及其热载流子可靠性研究

专 业: 微电子学与固体电子学
关键词: 可靠性 SOI MOSEFTs TDDB 单管闩锁效应 热载流子
分类号: TN301
形 态: 共 62 页 约 40,610 个字 约 1.943 M内容
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内容摘要


SOI技术在未来的IC中占有很大的优势。

该文以试验为基础,结合器件仿真,对SOI MOSEFT的特性及其热载流子可靠性进行了较全面的分析。

论述了kink效应的出现机理,及在NMOSEFT与PMOSEFT之间所存在的差别。

并对SIMOX SOI器件所特有的高栅压下漏电流的深度饱和进行了研究。

另外基于SOI器件,分析了沟道热载流子效应与TDDB的耦合现象,发现由于沟道热载流子在漏端附近向栅氧中的发射注入依旧会引起器件的栅介质击穿。

最后,对沟道热载流子应力所引起的器件参数退化进行了研究,发现在低栅压下,因PBT效应的作用,器件参数漂移呈现多特性规律,这使得预测低栅压偏置条件下的器件寿命变得异常困难……

全文目录


文摘
英文文摘
第一章 绪论
第二章 SOI MOSFET的电学特性
2.1 SOI MOSFET器件简介
2.2 SOI NMOSFET的“kink”效应
2.3 SOI PMOSFET的输出特性
2.4 SOI MOS器件中的高阻态线性区
2.5 SOI MOS器件的PBT效应
第三章 SOI MOSFET在热载流子应力后的特性变化
3.1应力后器件特性的变化
3.2对N管应力后特性变化的解释
3.3对P管应力后特性变化的解释
第四章 MOSFET的栅氧化层击穿
4.1MOSFET中的TDDB效应
4.2 TDDB与衬底热载流子效应的耦合
4.3 N管在沟道热载流子应力下的栅氧击穿
4.4 P管在沟道热载流子应力下的栅氧击穿
4.5 NMOSFET与PMOSFET的差异
第五章 SOI MOSFET的沟道热载流子应力损伤
5.1中栅压应力下的器件热载流子损伤
5.2高栅压应力下的器件热载流子损伤
5.3低栅压应力下的器件热载流子损伤
结论
参考文献
附录A
附录B

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中图分类: > TN301 > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 基础理论

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