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磁镜场中等离子体的输运特性及PCVD沉积薄膜机理研究

专 业: 物理电子学
关键词: 等离子体 磁镜场 微观输运特性 等离子体化学相沉积 蒙特卡罗模拟 SnO<,2>薄膜
分类号: O46  O484
形 态: 共 102 页 约 66,810 个字 约 3.196 M内容
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内容摘要


该文根据磁镜场对等离子体的约束作用原理,在原有的PCVD装置基础上,外加了不同大小、位形磁镜场,研究了不同磁镜场对等离子体中电子离子微观输运特性的影响,并利用二元流体动力学模型对不同磁镜场中PCVD沉积薄膜的特性进行了研究。

最后结合理论计算和模拟结果,利用自制的等离子体化学汽相沉积装置和磁镜场制备了SnO<,2>导电薄膜,研究了不同磁镜场对PCVD制得的SnO<,2>薄膜电阻、电阻空间分布均匀性,以及SnO<,2>薄膜电阻与基片的加热温度、射频电源输出电流和薄膜的沉积时间等关系的影响……

全文目录


文摘
英文文摘
第一章 绪论
1.1引言
1.2低温等离子体技术应用概况
1.3等离子体化学汽相沉积研究概况
1.4辉光放电等离子体的理论研究概况
1.5不同磁场中等离子体化学汽相沉积PCVD的机理
1.6本课题研究的目的和意义
第二章 蒙特卡罗模型的建立和磁镜场磁感应强度的计算
2.1蒙特卡罗模拟方法简介
2.2蒙特卡罗模型的建立
2.3磁镜场磁感应强度的空间分布计算
2.4小结
第三章 磁镜场对直流辉光放电等离子体正柱区内电子离子输运特性的影响
3.1引言
3.2正柱区电场的分布和电子的运动
3.3电子离子到达正柱区末端始端或管壁的百分率
3.4电子离子密度的空间分布
3.5电子离子平均能量的空间分布
3.6在正柱区末端始端电子离子运动速度方向与电场方向的夹角分布
3.7在正柱区末端电子能量的分布
3.8小结
第四章 磁镜场对射频辉光放电等离子体正柱区内电子输运特性的影响
4.1引言
4.2正柱区内电场的分布和电子的运动
4.3电子密度的空间分布
4.4电子平均能量的空间分布
4.5电子与中性粒子碰撞速率的分布
4.6电子流密度的分布
4.7在正柱区末端电子运动速度方向与正柱区轴向夹角的分布
4.8小结
第五章 不同磁场对直流辉光放电等离子体阴极鞘层区内电子离子输运特性 的影响
5.1引言
5.2阴极鞘层区电场的分布和电子离子的运动
5.3均匀磁场中电子密度的空间分布
5.4均匀磁场作用下电子到达阴极鞘层边界和管壁的百分率
5.5在鞘层区边界电子运动速度方向与电场方向的夹角分布
5.6不同磁镜场下电子离子密度的空间分布
5.7不同磁镜场下电子离子在阴极鞘层边界阴极表面运动速度方向与 电场方向的夹角分布
5.8在阴极鞘层边界电子能量的分布
5.9离子运动速度和平均能量的空间分布
5.10小结
第六章 磁镜场对射频辉光放电等离子体鞘层区电子输运特性的影响
6.1引言
6.2鞘层区电场的分布和电子的运动
6.3电子密度的空间分布
6.4电子平均能量的空间分布
6.5电子与中性粒子碰撞速率的分布
6.6在鞘层区最大边界处电子运动速度方向与电场方向的夹角分布
6.7小结
第七章 磁镜场中等离子体化学汽相沉积薄膜的机理研究
7.1引言
7.2 PCVD沉积薄膜的理论模型
7.3不同磁镜场不同电子密度分布下SnO2薄膜沉积速率的分布
7.4 SnO2薄膜沉积速率分布与反应室内气体压强的关系
7.5 SnO2薄膜沉积速率分布与反应气体流速的关系
7.6不同磁镜场下SnCl4反应气体浓度的分布
7.7 SnCl4反应气体有效利用率与反应气体流速的关系
7.8小结
第八章 磁镜场对PCVD沉积薄膜特性影响的实验研究
8.1引言
8.2等离子体化学汽相沉积薄膜的实验装置
8.3磁镜场的设计和磁感应强度的测量
8.4 SnO2薄膜的制备过程
8.5不同磁镜场中SnO2薄膜电阻与基片放置位置的关系
8.6 SnO2薄膜电阻与基片轴向位置的关系
8.7 SnO2薄膜电阻与基片加热温度的关系
8.8 SnO2薄膜电阻与射频电源输出电流的关系
8.9 SnO2薄膜电阻与薄膜沉积时间的关系
8.10小结
第九章 全文主要结论
参考文献

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中图分类: > O46 > 数理科学和化学 > 物理学 > 真空电子学(电子物理学)
其他分类: > O484 > 数理科学和化学 > 物理学 > 固体物理学 > 薄膜物理学

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