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量子点、微腔MBE生长和特性研究

专 业: 凝聚态物理
关键词: GaAs 自组织生长 半导体微腔 InAs量子占 微腔生长
分类号: TN301
形 态: 共 54 页 约 35,370 个字 约 1.692 M内容
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内容摘要


该文主要研究GaAs衬底上InAs自组织生长量子点的生长和性质,并且初步研究了半导体微腔的生长。

该文的研究内容包括如下几个方面:1.应用导致自组织量子点的产生,影响量子点的特性。

该文计算了位于下层的InAs量子点在共覆盖层GaAs上产生的应力状况,由此可以确定上层量子点的生长位置。

由此对多层InAs/GaAs的应力状况进行计算,计算结果表明上层量子点的分布均匀性将逐渐变好。

2.掺杂是半导体器件制造中的重要过程。

该文系统地研究了Ⅲ-Ⅴ族半导体中主要的掺杂剂Si和Be在不同掺杂浓度下对自组织生长量子点的影响。

认为掺杂原子在量子点的形成过程中会起到成核中心的作用,帮助周围原子达到稳定的驰豫状态。

弱掺杂对量子点的性质有一定的改善作用,但掺杂浓度过高会导致质量的下降。

3.为了最终实现利用微腔研究量子点的特点,首先研究了平面微腔的生长工作。

该文介绍了其中DBR,InGaAs量子阱,及整个微腔生长时应当注意的问题……

全文目录


文摘
英文文摘
前言
第一章 绪论
1.1引言
1.2半导体中的量子限制效应
1.3量子点的光电性质
1.4量子点自组织生长的机理
1.5半导体微腔的结构和性质
1.6半导体微腔研究动向
第二章 实验装置和方法
2.1引言
2.2分子束外延技术MBE简介
2.3光荧光及反射谱
2.4角分辨光谱系统
第三章 纵向耦合多层量子点
3.1引言
3.2单层量子点的相关实验
3.3理论分析
3.4实验结果与讨论
第四章 掺杂对自组织生长量子点性质的影响
4.1引言
4.2掺杂对量子点形貌的影响
4.3不同掺杂样品的光荧光谱
4.4实验结果分析与讨论
第五章 半导体微腔的MBE生长
5.1引言
5.2 DBR的MBE生长
5.3 InGaAs量子阱的MBE生长
5.4微腔生长的尝试
小结
参考文献
附录

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中图分类: > TN301 > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 基础理论

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