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Ⅲ-Ⅴ族半导体的喇曼散射研究

专 业: 凝聚态物理
关键词: 喇曼散射 Ⅲ-Ⅴ族半导体 混晶超晶格 光学声子模 光致发光
分类号: TN301
形 态: 共 45 页 约 29,475 个字 约 1.41 M内容
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内容摘要


该文利用喇曼散射的实验方法,并结合一定的理论计算对一些Ⅲ-Ⅴ族半导体混晶超晶格材料和一些高指数n11面上生长的闪锌矿结构的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的晶格振动进行了较为全面的研究,另外还研究了六角GaN的喇曼散射,获得的主要结果有:1.用喇曼散射方法研究了不同层厚的Al<,0。

3>Ga<,0。

7>As/AlAs和GaAs/Al<,0。

3>Ga<,0。

7>As短周期超晶格的纵光学声子模。

2.用喇曼散射方法研究了不同指数面n11上生长的Ga<,0。

5>Al<,0。

5>As和In<,0。

52>Al<,0。

48>As两套系列样品的长光学声子模。

3.在室温下测量了用MOVPE方法生长在尖晶石MgAl<,2>O<,4>衬底上的GaN外延层的一阶拉曼光谱。

4。

此外,还参加了静压下ZnS<,x>Te<,1-x>三元混晶的光致发光研究……

全文目录


文摘
英文文摘
第一章 引言
第二章 基础理论
2.1半导体超晶格的晶格振动性质
2.1.1一维线性链模型
2.1.2介电连续模型
2.1.3黄-朱模型
2.2声子拉曼散射的基本原理
2.3对称性与选择定则
参考文献
附图
第三章 实验装置及方法
第四章 AlxGa1-xAs/AlAs和GaAs/AlxGa1-xAs超晶格的喇曼散射对比研究
4.1样品和实验
4.2结果与讨论
4.3本章小结
参考文献
附图
第五章 (nll)面上生长的Ⅲ-Ⅴ族半导体的喇曼散射研究
5.1样品和实验
5.2理论分析
5.3实验结果与讨论
5.4本章小结
参考文献
附图
第六章 生长在尖晶石衬底上的六角GaN外延层的拉曼散射研究
6.1样品和实验
6.2结果与讨论
6.3本章小结
参考文献
附图

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中图分类: > TN301 > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 基础理论

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