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半导体微结构量子输运特性及电子态

专 业: 半导体物理
关键词: 半导体微结构 量子输运 电子态
分类号: O47  TN601
形 态: 共 30 页 约 19,650 个字 约 .94 M内容
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内容摘要


介观系统中载流子的输运过程,不能够用通常的求宏观系统的统计平均的方法来处理,而表面为量子相干输运。

当体系尺度远大于载流子的弹性散射平均自由程而小于非弹性散射平均自由程时,载流子走无规行走路径,输运属量子扩散区。

导体的弱局域电性,普适电导涨落,以及正常金属环中的持续电流等物理现象,都发生在这个区域。

当系统的尺寸比弹性散射平均自由程小或相近时,载流子在器件中的输运进入弹道输运区。

在这个区域中杂质散射可忽略,电子的输运完全由器件的边界散射所决定。

器件中电子的运动大大偏离基于经典运动的Boltzmann方程,而类似于在波导中传播的电磁波。

Landauer-Büttiker输运理论由于明确考虑了波函数相位对输运的影响,很好地解释了介观结构中的各种量子相干输运现象。

实验上,弹道输运的研究一般在GaAs-AlGaAs半导体异质结结区高迁移率的二维电子气系统中进行……

全文目录


一.引言
二.准一量子线中的量子弹道输运
三.边缘态的一般性质
四.边缘态的数值求解方法
五.耦合平行双量子线的磁致输运特性
六.正常介观环中的持续电流
参考文献

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中图分类: > O47 > 数理科学和化学 > 物理学 > 半导体物理学
其他分类: > TN601 > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 电子元件、组件 > 一般性问题 > 理论

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