优秀研究生学位论文题录展示

半导体量子微腔研究

专 业: 物理学  英文
关键词: 半导体量子微腔 腔极化激元 Rabi分裂 角分辨光致发光谱 原位选频探测
分类号: TN301
形 态: 共 39 页 约 25,545 个字 约 1.222 M内容
阅 读: 全文阅读说明

内容摘要


该报告对半导体平面量子微腔物理进行了深入的研究,主要工作如下:1.制备出了品质因数为1000以上的半导体平面InGaAs/GaAs量子阱微腔,观察到了明显的Rabi分裂现象,确定出温度为77K时腔极化激元的色散关系,在10~300K的温度范围内研究了光致发光谱的变化。

此外,我们设计出一种新的调谐方法,即改变微腔的外加静压进行调谐。

当温度为77K时,观察到了腔模和激子模的反交叉过程。

2.设计制备出半导体平面InGaAs/GaAs自组织量子点微腔其品质因数高达1000以上。

在10~300K的温度范围内,通过角分辨光致发光装置原位选择研究了微腔中不同特征量子点的物理行为。

开发设计出一种灵敏度高、响应快的新型可调谐选频探测平面微腔增强型探测器……

全文目录


文摘
英文文摘
绪论
半导体平面InGaAs/GaAs量子阱微腔的光学性质研究
摘要
1引言
2实验
3结果和讨论
3.1反射谱和Rabi分裂
3.2角分辨光致发光谱和腔极化激元的色散关系
3.3微腔光致发光谱与温度的关系
3.4微腔光致发光谱与外加静压的关系
4结论
参考文献
英文摘要
图标
Novel optical properties of self-assembled InGaAs quantum dots in a planar GaAs microcavity studied by angle-resolved photoluminescence technique
Introduction
Experiment
Results and Discussion
Conclusion
References
Figures
附录一:微腔反射率计算公式推导
附录二、微腔样品反射谱计算程序

相似论文

  1. 氮化镓基半导体异质结构应力相关特性研究,42页,TN304.2
  2. 阳极氧化法制备多孔硅中的正电子湮没及扫描电子显微镜研究及微量元素价态的离子荧光法初探,40页,TN304.05 TN304.12
  3. ZnO椭球和Zn-Al LDH的制备与表征研究,47页,TN304.21 TB383
  4. 纳机电系统中气体吸附解吸附问题研究,66页,TN30
  5. 半导体的超快动量能量弛豫和相干控制光电流,97页,TN301
  6. 低维固体系统电学特性的研究,64页,TN301
  7. 光场及THz场作用下载流子动力学研究,78页,TN301
  8. 半导体THz辐射的动力学研究及Monte Carlo模拟,121页,TN301
  9. 分数维空间方法在半导体带间跃迁光谱分析中的应用,105页,TN301
  10. 基于Γ-X混合的异质结构光存储器件探索,50页,TN301
  11. 碲镉汞环孔P-N结理论分析与测试,91页,TN301
  12. ULSI片内互连线寄生参数提取及应用,96页,TN301
  13. 有机电子器件的基础研究,99页,TN301
  14. Ⅲ-Ⅴ族量子结构材料生长及相关自旋电子学的研究,125页,TN301
  15. 量子点、微腔MBE生长和特性研究,54页,TN301
  16. 一维GaAs/AlAs多量子线中电声子作用和热载流子驰豫的初步研究,50页,TN301
  17. Ⅲ-Ⅴ族半导体的喇曼散射研究,45页,TN301
  18. SOI MOSFET及其热载流子可靠性研究,62页,TN301
  19. InAs/GaAs低维结构载流子驰豫与俘获的研究,58页,TN301
  20. 偶氮类电荷产生材料的合成及性能研究,65页,TN301
中图分类: > TN301 > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 基础理论

© 2012 book.hzu.edu.cn