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低维纳米结构的分子束外延生长和变温扫描隧道显微镜研究

专 业: 凝聚态物理
关键词: 量子点 量子线 扫描隧道显微镜 低维纳米结构 分子束外延技术
分类号: O47
形 态: 共 80 页 约 52,400 个字 约 2.507 M内容
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内容摘要


该文的工作主要是利用分子束外延技术和扫描隧道显微镜研究了两类低维结构的生长过程及其结构。

这两类低维结构是:1Ⅲ族金属In、Ga,合金Ag/In以及磁性金属Mn在Si111-7x7模板衬底上形成的有序全同量子点阵;2金属In在Si001-2xn模板衬底上形成的有序量子线阵列……

全文目录


文摘
英文文摘
第一章 引言
第1节 :低维量子结构的物理性质
第2节 :在半导体表面制备低维纳米结构的方法简介
第3节 :材料生长动力学过程简介
参考文献
第二章 实验技术
第1节 :扫描隧道显微镜工作原理及仪器介绍
第2节 :金属原子蒸镀、分子束外延和样品制备
参考文献
第三章 Si111-7x7表面全同金属量子点阵的生长
第1节 :引言
第2节 :In全同量子点阵在Si111-7x7表面的生长
第3节 :Ga全同量子点阵在Si111-7x7表面的生长
第4节 :Ag及Ag/In合金团簇在Si111-7x7表面的生长
第4节 :磁性金属团簇在Si111-7x7表面的生长
参考文献
第四章 Si001-2xn表面In量子线阵列的生长与研究
第1节 :引言
第2节 :In纳米线阵列在Si001-2xn衬底上的生长
参考文献
第五章 结论

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中图分类: > O47 > 数理科学和化学 > 物理学 > 半导体物理学

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