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半导体的超快动量能量弛豫和相干控制光电流

专 业: 光学
关键词: 相干控制 光电流 超快退相 载流子散射 飞秒激光
分类号: TN301
形 态: 共 97 页 约 63,535 个字 约 3.039 M内容
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内容摘要


该论文基于量子动力学基本原理对半导体中光生载流子的超快退相和能量弛豫进行了比较系统的研究,讨论了量子相干控制光电流的基本原理,具创新性的主要成果如下:(1)首次明确地讨论了光激发半导体(包括量子阱)的退相时间的存在性及其意义。

(2)我们研究了价带类|p>波函数的各向异性对空穴散射率的影响。

(3)该论文根据密度矩阵理论详细分析了相干控制光电流的机制,讨论了载流子分布的不对称性如何依赖于光偏振方向、位相差以及材料的退相特性。

对文献中用量子力学微扰论得到的载流子分布的不正定性作出修正。

(4)根据费曼图形导出了电流密度干涉项的瞬态表达式,研究了起于双光子吸收和单光子吸收路径之间的干涉所产生电流的瞬态过程。

并给出了两种极端情形下,即平面波挖掘和δ脉冲近似,干涉项的解析表达式……

全文目录


文摘
英文文摘
第1章 绪论
1.1半导体中的超快动量弛豫
1.2半导体中的超快能量弛豫
1.3量子相干控制
第2章 体材料半导体光学极化的超快退相
2.1半导体的光学Bloch方程
2.2三维情形退相时间的存在性
2.3库仑散射退相的不确定展宽处理法
2.4实验比较
2.5小结
第3章 半导体量子阱光学极化的超快退相
3.1二维情形退相率的存在性
3.2库仑散射退相的解析表达式
3.3量子阱极化退相的飞秒测量
3.4小结
第4章 GaAs中光生重空穴的能量弛豫
4.1光生重空穴的空穴——空穴散射
4.2空穴——光学声子散射
4.3重空穴散射速率的测量
4.4小结
第5章 量子干涉控制光电流原理
5.1半导体中光电流的量子干涉控制理论
5.2干涉光电流驰豫时间
5.3量子干涉控制光电流的实验装置介绍
5.4量子干涉控制光电流的瞬态过程
5.5小结
第6章 总结
参考文献

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中图分类: > TN301 > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 基础理论

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