优秀研究生学位论文题录展示

半导体量子线在电磁场辐照下的电子输运性质

专 业: 凝聚态物理
关键词: 量子线 电磁场 介观瞬态输运 散射矩阵
分类号: O471
形 态: 共 53 页 约 34,715 个字 约 1.661 M内容
阅 读: 全文阅读说明

内容摘要


量子线纳米线系统中的电子输运一直是人们非常关心的问题,因为它不仅是一个重要的基础物理问题,而且有着潜在的应用前景,它将是今后纳米电路、纳米器件的重要物理基础。

该文以采用自由电子模型,用Landauer-Büttiker输运理论和散射矩阵方法分别研究了几何形状不同的量子线电子输运的性质和直量子线分别受到横向极化电磁场照射时的电子输运性质以及解析的推导了直量子线在纵向极化电磁场照射下的电子透射率公式。

全文共分为五章。

第一章简要介绍了介观输运有关的基本理论和散射矩阵方法。

第二章运用散射矩阵方法研究了几何参数对量子线电子输运的影响。

分别考虑宽-窄-宽型和窄-宽-窄型两种不同的形状。

我们发现这两种形状量子线的输运性质截然不同,得到的结论是:1.对宽-窄-宽型量子线我们预计了电子波函数的干涉现象,出现相干输运。

2.对窄-宽-窄型量子线我们预计了在量子线中出现束缚态,透射率出现零点现象。

第三章用量子光学中光场和原子相互作用方法求解含时Shrodinger方程,并用含时模式匹配散射矩阵方法研究了直量子线在横向极化电场垂直于量子线太赫兹电磁场部分辐照下的电子输运性质,得出电磁辐射对电子纵向运动的阻塞效应。

论证了当外场频率与量子线横向能级间隔匹配时:1.在辐照区内电子在横向态的布居产生空间上的Rabi振荡;2.电磁辐照的区域类似于一个散射势,透射率随电子入射能量的变化曲线产生一个反常的台阶结构。

第四章用处理受激光辐照量子阱问题的散射方法求解含时Shrodinger方程同样利用含时模式匹配散射矩阵方法解析的推导了量子线在纵向极化电磁场辐照下的电子透射率公式。

第五章我们对该文的工作进行了简要的总结,并对这一研究领域的发展前景作了简要的展望……

全文目录


中文摘要
英文摘要
第一章 引言
1.1 介观输运理论概述及Landauer-Büttiker公式
1.2 介观输运中的散射矩阵方法
1.3 本文研究的内容
第二章 量子线几何参数对电子输运性质影响
2.1 引言
2.2 二维电子气和量子线
2.3 绝热与非绝热近似
2.4 宽-窄-宽形量子线的电子输运性质
2.5 窄-宽-窄形量子线的电子输运性质
第三章 横向极化电磁场辐照下量子线的电子输运性质
3.1 太赫兹电磁波
3.2 瞬态输运及其特点
3.3 量子线在横向极化电磁场部分辐照下的输运性质
3.3.1 含时Schr?dinger方程
3.3.2 含时电子波函数
3.3.3 电子透射率
3.3.4 讨论
第四章 纵向极化电磁场辐照下量子线的电子输运
4.1 含时Schr?inger方程
4.2 Floquet散射解
4.3 散射系数方程
4.4 透射率
第五章 总结和展望
参考文献

相似论文

  1. ZnO基稀磁半导体的结构、磁学和输运性质研究,41页,O471.4
  2. 四元混晶In<,1-x>Ga<,x>As<,y>P<,1-y>/InGaAsP量子阱在组分和压力调制下的能带转型,38页,O471.1
  3. 磁场作用下量子环中双激子体系的AB振荡和磁化强度,41页,O471.3
  4. ZnS及其掺杂量子点的制备与荧光性能研究,81页,O471.1 O472.3
  5. 不同形貌ZnO纳米结构的制备及其发光性能研究,65页,O471.5 O472.3
  6. 有机半导体迁移率公式的改进及应用的研究,50页,O471
  7. TiO<,2>和ZnO基稀磁半导体的制备与性质研究,53页,O471.4 TN304.21
  8. Eu掺杂的六方Mg<,x>Zn<,1-x>O纳米晶微结构和光学性质研究,36页,O471.5 O482.3
  9. 单掺杂及混合掺杂半导体费米能级随温度变化的数值计算,33页,O471.5 O241.4
  10. 半导体量子点系统中应变调制的自组装,62页,O47
  11. 太拉赫兹场作用下半导体系统中的输运和光学性质,70页,O47
  12. 复杂流体中液--固界面的电双层,112页,O47
  13. 半导体中电子自旋极化及半导体微腔偏振特性研究,69页,O47
  14. 低维纳米结构的分子束外延生长和变温扫描隧道显微镜研究,80页,O47
  15. Ⅲ—Ⅴ族化合物中原子相互作用势新方法,78页,O47 O411.1
  16. N层垂直耦合量子点的基态跃迁,51页,O47 O492.1
  17. 硅(001)表面上硅化铒纳米结构的扫描隧道电子显微镜研究,87页,O47 TN304.24
  18. InAs/GaAs自组装量子点结构和光学性质研究,38页,O471
  19. 平均键能物理内涵与肖特基势垒和异质结带阶的研究,91页,O471
  20. 电子全息方法对GaN/AlGaN多量子阱超晶格结构的研究,69页,O471
中图分类: > O471 > 数理科学和化学 > 物理学 > 半导体物理学 > 半导体理论

© 2012 book.hzu.edu.cn