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硅光电负阻器件的研究

专 业: 微电子技术
关键词: 硅光电负阻器件 光电双向负阻晶体管 光电λ型负阻晶体管 光电双基区晶体管
分类号: TN302
形 态: 共 71 页 约 46,505 个字 约 2.225 M内容
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内容摘要


硅光电负阻器件是受国家自然科学基金资助的科研项目,天津大学电子信息工程学院的微电子技术专业承担了这项研究工作。

这项研究工作的主要内容包括器件的设计和研制、建立器件的物理模型,器件的模拟,进而达到优化器件性能的目的。

该论文围绕着该项研究工作的主要内容做了一些关于器件的设计研制及基面理论方面的研究工作,并对几种硅光电负阻器件的应用进行探索……

全文目录


文摘
英文文摘
第一章 绪论
第一节 新型光电器件研究和开发的重要性
第二节 负阻器件的发展现状
第三节 硅光电负阻器件的研究状况
第二章 硅光电双向负阻晶体管PBNRT的设计与制造
第一节 PBNRT的结构简介
第二节 PBNRT平面结构设计
第三节 PBNRT的制作
第三章 光电双向负阻晶体管PBNRT的实验与理论
第一节 PBNRT的实验研究
第二节 BNRT的理论分析
第三节 PBNRT的特性分析
第四章 光电λ型双极晶体管PLBT的设计与制作
第一节 PLBT结构及工作原理
第二节 PLBT的平面结构设计
第三节 PLBT的制作
第五章 光电λ型晶体管PLBT的实验与理论研究
第一节 对PLBT的实验测量
第二节 PLBT的理论分析
第六章 光电双基区晶体管PDUBAT的设计与制作
第一节 双基区晶体管DUBAT的结构简介
第二节 PDUBAT的版图设计
第三节 PDUBAT的制备
第四节 PDUBAT工作原理的解释
第七章 光电负阻器件的应用研究
第一节 PDUBAT的应用研究
第二节 PBNRT的电路应用
第三节 PLBT的应用
第八章 全文总结
参考文献
附录
附录

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中图分类: > TN302 > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 设计与计算

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