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InP/GaAs、GaAs/Si、InP/GaAs/Si异质外延生长技术及其在集成光电子器件中的应用

专 业: 电磁场与微波技术
关键词: InP GaAs 异质外延 生长技术 集成光电子器件
分类号: TN3  TN2
形 态: 共 122 页 约 79,910 个字 约 3.822 M内容
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内容摘要


本论文工作是围绕任晓敏教授为首席科学家的国家重点基础研究发展规划(973计划)项目(No:

2003CB314900),及其课题组承担的国家863计划项目(No:

2003AA319050,2006AA032416,2007AA032418)、国家自然基金重点项目(No:

90601002,60576018)、国际科技合作重点项目计划项目(No:

2006DFBllll0)展开的。

笔者针对异质结构半导体材料兼容问题开展了大量的理论和实验工作,并基于大失配异质外延实验方面取得的成果,对于新型GaAs基、Si基单片集成光探测器,开展了系统的理论分析和实验创新..……

全文目录


文摘
英文文摘
论文说明:符号说明
第一章 绪论
1.1研究的背景和意义
1.2论文的结构安排
参考文献
第二章 大失配外延技术及晶体质量测试方法
2.1大失配异质外延的技术现状
2.1.1缓冲层技术
2.1.2柔性衬底技术
2.1.3选区外延技术
2.2金属有机化学气相沉积外延技术
2.3晶体生长质量的测试方法
2.3.1 X射线衍射技术XRD
2.3.2光致发光技术PL
2.3.3扫描电子显微镜技术SEM
2.3.4透射电子显微镜术TEM
2.4本章小结
参考文献
第三章 InP/GaAs100异质外延生长技术的研究
3.1引言
3.2低温缓冲层法InP/GaAs的异质外延生长
3.2.1单层低温缓冲层法
3.2.2低温InP缓冲层与正常外延层的形貌关系
3.3应变超晶格在InP/GaAs异质外延生长中的应用
3.3.1 InP/GaxIn1-xP应变超晶格的生长
3.3.2 Ga0.1 In0.9P/InP SLS对InP/GaAs异质外延晶体的影响
3.3.3关于SIS方法InP/GaAs外延的应用
3.4本章小结
参考文献
第四章 InP/GaAs单片集成器件的制作
4.1单片集成一镜斜置三镜腔光探测器
4.1.1一镜斜置三镜腔光探测器的提出
4.1.2单片集成一镜斜置三镜腔光探测器的外延、制备
4.1.3长波长一镜斜置三镜腔光探测器的测试
4.2关于楔形衬底的双波长探测现象的讨论和应用
4.2.1楔形衬底的双波长探测器的设计
4.2.2楔形衬底的双波长探测器的制备和测试
4.2.3应用讨论
4.3本章小结
参考文献
第五章 GaAs/Si和InP/GaAs/Si异质外延及其器件制作
5.1引言
5.2热失配导致的应变和应力分布模型
5.3基于低温缓冲层法的Si1004°衬底的GaAs异质外延生长
5.3.1 GaAs/Si1004°生长的实验方案
5.3.2实验测试结果与讨论
5.3.3基于AlGaAsAs缓冲层的GaAs/Si1004°生长的实验方案
5.4基于刻槽工艺的mid-pattern GaAs/Si外延技术
5.4.1问题的提出
5.4.2基于刻槽技术的mid-pattern外延实验
5.5 InP/GaAs/Si外延及Si基波长选择性、长波长探测器的实现
5.6本章小结
参考文献
第六章 总结

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中图分类: > TN3 > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术
其他分类: > TN2 > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 光电子技术、激光技术

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