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InP/Si低温晶片键合的电特性和力学特性的研究

专 业: 电磁场与微波技术
关键词: InP 低温晶片键合 电特性
分类号: TN3  TN4
形 态: 共 75 页 约 49,125 个字 约 2.35 M内容
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内容摘要


本论文工作是围绕任晓敏教授任首席科学家的国家重点基础研究发展规划项目(973计划项目)“新一代通信光电子集成器件及光纤的重要结构工艺创新与基础研究”(项目编号:

2003CB314900)项目分课题一“单片集成光电子器件的异质兼容理论与重要结构工艺创新”(项目编号:

2003CB314901)、项目分课题二“低温晶片键合及准单片光电子集成技术的创新与基础研究”(项目编号:

2003CB314902)和国家自然科学基金资助项目“面向高性能光电子器件制备的半导体晶片低温键合新途径、新技术的研究’’倾目编号:

60576018)展开的。

针对光电集成中的关键技术——低温键合技术开展了系统的理论分析和实验研究..……

全文目录


文摘
英文文摘
第一章 绪论
1.1课题背景及研究的意义
1.2论文的结构安排
参考文献
第二章 晶片键合技术综述
2.1晶片键合技术的起源及历史
2.2晶片键合技术原理
2.3晶片键合技术方法
2.4硅基键合技术在光电子领域的应用
2.4.1键合法制备硅基激光器
2.4.2键合法制备硅基探测器
参考文献
第三章 InP/Si键合力学性能分析
3.1室温晶片键合界面接触弹性理论分析
3.2晶片表面几何特性对键合的影响
3.2.1理论模型
3.2.2键合晶片厚度比及键合前沿点对键合的影响
3.3 InP/Si晶片键合引起的应力的研究
3.3.1晶片键合应力模型
3.3.2晶片键合的剪应力
3.3.3晶片键合的正应力
参考文献
第四章 InP/Si键合的电学特性理论研究
4.1传统p-n结理论分析
4.1.1 InP/Si异质结电位分布的计算
4.1.2 InP/Si异质结结电容的计算
4.2同型异质结理论下的分析
4.2.1 InP/Si异质结电位分布的计算
4.2.2同型异质结理论下的InP/Si异质结电容的计算
4.3 n-InP/n-Si键合电压电流特性分析
4.3.1 Anderson电子扩散理论模型
4.3.2双肖特基模型下的InP/Si伏安特性分析
4.3.3实验结果对比及分析
4.4.镜像力对n-InP/n-Si异质结表面势垒高度的影响
4.5界面能级对n-InP/n-Si异质结伏安特性的影响
参考文献
第五章 n-InP/n-Si低温键合的工艺探索及实验研究
5.1晶片的表面处理
5.1.1传统的RCA清洗法
5.1.2晶片表面腐蚀处理
5.1.3晶片表面的活化处理
5.2 InP/Si晶片低温键合的实验过程
5.3键合晶片性能测试
5.3.1键合晶片表面形貌
5.3.2键合晶片I-V特性测试
5.4基于键合的DBR透射谱测试
参考文献

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中图分类: > TN3 > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术
其他分类: > TN4 > 工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 微电子学、集成电路(ic)

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