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  1. 电致发光显示的接口与驱动电路,30页,O47
  2. 半导体量子点系统中应变调制的自组装,62页,O47
  3. 太拉赫兹场作用下半导体系统中的输运和光学性质,70页,O47
  4. 薄氧化硅可靠性及击穿机理研究,134页,O47
  5. 非掺半绝缘砷化镓单晶材料与器件物理,97页,O47
  6. SOI和铁电薄膜及其器件的辐照效应研究,127页,O47
  7. 复杂流体中液--固界面的电双层,112页,O47
  8. 半导体物理发展史探讨,41页,O47
  9. 中小尺寸(CdS)〈,n〉和(CdTe)〈,n〉团簇结构与电子性质的第一性原理研究,55页,O47
  10. 硅中氢、氦离子注入纳米孔层的形成及其应用:Smart-cutSOI与吸杂,115页,O47
  11. 半导体中电子自旋极化及半导体微腔偏振特性研究,69页,O47
  12. 硅基二氧化硅AWG波分复用/解复用器的研究,59页,O47
  13. 低维纳米结构的分子束外延生长和变温扫描隧道显微镜研究,80页,O47
  14. 基于PDM的世界级半导体生产集成系统分析与设计,65页,O47 F426.7 TN304.23
  15. 纤锌矿GaN载流子输运的蒙特卡罗模拟,84页,O47 O242.2 TN304.23
  16. Ⅲ—Ⅴ族化合物中原子相互作用势新方法,78页,O47 O411.1
  17. N层垂直耦合量子点的基态跃迁,51页,O47 O492.1
  18. 一维半导体纳米线体系的光谱和光学性质研究,94页,O47 O734
  19. GaAs太阳电池的结特性及结构设计,100页,O47 TM914.4
  20. 硅(001)表面上硅化铒纳米结构的扫描隧道电子显微镜研究,87页,O47 TN304.24
  21. 电子薄膜材料最佳掺杂含量的理论研究,100页,O47 TN305
  22. UHV/CVD生长弛豫SiGe和SiGe/SiII型量子阱的研究,78页,O47 TN36
  23. 半导体微结构量子输运特性及电子态,30页,O47 TN601
  24. SiGe/Si MQW共振腔光电探测器,73页,O47 TN929.1
  25. 智能化非晶硅a-Si太阳电池电治疗及测试系统,42页,O471
  26. InAs/GaAs自组装量子点结构和光学性质研究,38页,O471
  27. 金属团簇和锰掺杂稀磁半导体中几何结构与电子性质的第一性原理研究,126页,O471
  28. 半导体瞬态问题的数值方法和分析,65页,O471
  29. 氮化物半导体量子点光电性质的研究与设计,58页,O471
  30. 平均键能物理内涵与肖特基势垒和异质结带阶的研究,91页,O471
  31. 电子全息方法对GaN/AlGaN多量子阱超晶格结构的研究,69页,O471
  32. 半导体量子线在电磁场辐照下的电子输运性质,53页,O471
  33. 半导体中超快动力学过程的研究,96页,O471
  34. 自旋极化电子的隧穿输运和层间交换耦合的理论研究,153页,O471
  35. 超晶格中一些输运及动力学问题的理论研究,66页,O471
  36. ZnO量子点中激子的基态特性及表面修饰对光学性质的影响,92页,O471
  37. ZnTe基和ZnSe基复合结构的光学性质,101页,O471
  38. 量子环的杂质态及其量子隧穿的研究,47页,O471
  39. 磁场下量子环的电子态及其输运性质的研究,40页,O471
  40. ZnO基稀磁半导体的制备与磁性研究,75页,O471
  41. 一维多量子阱结构共振准能级寿命和I-V曲线的理论研究,56页,O471
  42. 磁场下实际半导体异质结势中界面杂质态和束缚极化子及压力效应,35页,O471
  43. 分批排序问题,35页,O471
  44. 低维半导体体系导纳谱的研究,121页,O471
  45. CdZnTe和CdZnSe量子复合结构的生长及光学性质研究,98页,O471
  46. 有机半导体迁移率公式的改进及应用的研究,50页,O471
  47. 极性晶体膜中的束缚极化子,27页,O471
  48. Si基SiGe弛豫衬底及SiGe/Si量子阱生长与表征,76页,O471
  49. 靶静止系中p-A碰撞的Drell-Yan过程,34页,O471
  50. 外加磁场下方形量子阱线中激子的束缚能,35页,O471
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提示:"o47" 相关分类 数理科学和化学 - 物理学 - 半导体物理学

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